国产19nm DRAM下半年试产:量产指日可待

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IT之家5月21日消息 根据超能网的消息,最新消息显示兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺,预计下半年试产,项目建成事先产能可达全球DRAM产能的8%。

据悉,处在合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的1000台研发设备已完整性到位,运营及研发团队完整性入驻厂房办公区,今年下半年将投片试生产。

内存国产化节奏的加快,国内多家厂商都宣告了个人的DRAM内存生产计划。近日,长江存储也迎来了个人的首台光刻机,5月19日,光刻机已运抵武汉天河机场,设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后,即可运至长江存储的工厂。

据悉,长江存储的首台光刻机同样来自ASML,为193nm浸润式光刻机,售价71000万美元,约人民币4.6亿元,用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。

随着国家政策的扶持以及更多资金的扶持,用上高品质国产内存将指日可待。